湿法刻蚀相关论文
深入分析了铜钛刻蚀液的刻蚀机理，并对刻蚀液浓度的变化进行实验分析。在此基础上，通过实验完成了铜钛刻蚀液浓度变化模型曲线的研发......
GaN相比其他半导体材料主要的优势在于较大的禁带宽度以及更高的电子迁移率和饱和速率,使得其在电力电子领域具有广阔的应用前景。......
微机电系统（MEMS）是基于集成电路和微机械加工技术发展起来的机械系统，本文阐述了国内外微机电系统发展的情况，论述了微机电系统制造技......
在太阳电池制备过程中，刻蚀工序作为扩散工序后去除硅片p-n结的重要工序，除了具有将p区与n区断开防止正负极短路的作用外，还会对硅片......
现代切削加工正在向智能化、精密化、集成化和微型化方向发展,切削力的实时在线测量是实现刀具智能化的必经手段,刀具嵌入式合金薄......
氮化镓（GaN）是典型的第三代半导体材料,在高频、大功率电子器件以及深紫外光、蓝光、绿光等光电子器件领域中具有十分重要的应用价值......
采用由质子交换辅助湿法刻蚀技术，在Z切铌酸锂晶体上成功制备锥形脊波导．该波导脊高为1.2μm、脊宽从4μm增大至8μm，插入损耗4.4 dB．......
大面积钙钛矿电池组件效率一直比小面积电池最高效率低10%左右，其中透明导电氧化物（TCO）电极的横向电阻是构成串联电阻增加的主要因素......
透明电极在透明加热器,发光二极管,智能窗户,太阳能电池,显示屏等光电器件中具有广阔的应用前景。高的导电率和透光率以及高的力学......
传统能源的短缺以及由此引发的环境污染问题是制约当今社会发展的重要因素,寻找各种新型可持续的替代能源是摆在现代人类面前的重......
近年来,越来越多的光纤技术领域中需要光纤微透镜,光纤微透镜是将光信号从一端有效地传输到另一端口的光纤器件,在光通信、传感、......
本文介绍了以玻璃为基底的微型芯片的设计、加工以及基于激光诱导荧光检测系统的工作原理及其设计.实验结果表明它比传统的毛细管......
本文应用异质结物理和等效电路方法建立了集成旁路二极管在有光和暗条件下的模型;从干法和湿法刻蚀方面设计了适合集成旁路二极管......
在原有的异质结双极晶体管(HBT)器件结构及工艺基础上进行改进,利用湿法刻蚀自对准工艺设计制作了AlGaAs/GaAs HBT.经过实验对比;......
制备出应用于Si基薄膜电池的绒面MOCVD-ZnO薄膜,并尝试相应的CHCOOH湿法刻蚀表面处理。结果表明,处理前后ZnO:B薄膜的微观结构,方......
对采用分子束外延技术生长的氮化镓进行位错密度的分析,目前的报道并不多.本文介绍了采用光辅助湿法刻蚀氮化镓后进行原子力显微镜......
Positioned between front-end and back-endprocessing in semiconductor manufacturing, waferback-side grinding,the core of ......
The solid-state nanopores have attracted growing attention in single molecule sequencing fields, especially in DNA seque......
GaSb 基材料在近中红外波段光电子器件是目前研究的热点领域之一.针对GaSb基材料的刻蚀所存在的问题,较为系统地研究了HCl系HCl+HN......
作为一种新型的透射光栅,闪耀透射光栅集中了透射和反射光栅的优点,同时避免它们的缺点,衍射效率可高达50％.本文采用全息光刻和湿法......
单晶硅作为一种重要的非金属元素单晶材料,导热性能好,长时间、高质量服役性能优异,广泛应用于MEMS、太阳能电池以及红外探测器等......
探讨亚微米掺铝氧化锌（AZO）光栅的漫透射光谱特性。在AZO薄膜上涂布光刻胶，用325 nm激光双光束干涉曝光得到掩模图案。将其置于质量分......
采用金属辅助化学刻蚀方法(MACE),在常规碱溶液制备的金字塔表面制备表面形貌良好、反射率低的硅纳米线微结构.详细探究Ag辅助刻蚀......
在氧化物限制型垂直腔面发射激光器制备中,刻蚀GaAs/AlGaAs时因异质型材料常出现选择性内蚀现象,这会直接影响后续的氧化工艺及电......
熔石英光学元件经过精密加工后亚表面存在大量缺陷，这些缺陷在强激光辐照下易引发激光诱导损伤，威胁熔石英元件在紫外激光（351 nm/355......
氧化铟锡(ITO)导电膜具有电阻率低、透光性好、耐高温等优点,在光电领域具有重要应用。现有加工方法得到的ITO电极尺寸一般为10~20......
在光通信飞速发展的今天，全光网络的实现已经不仅仅是梦想。对各种光波导器件的需求量也日益增大。商业化的环境必定会要求光波导器......
氮化铝(AlN)作为第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，介电常数小，电子漂移速率较高，导热率高，化学性质稳定等许多优良的特性，是深紫......
采用硅酸镓镧(Langasite,LGS)压电材料制备声表面波(Surface acoustic wave,SAW)高温压力传感器可解决高温、高压等恶劣环境下温度......
从垂直腔激光器阵列到光纤阵列的高效耦合一直是高速有源光缆制备过程中的挑战。基于界面光波传输的相位匹配,根据界面的折射率的......
从垂直腔激光器阵列到光纤阵列的高效耦合一直是高速有源光缆制备过程中的挑战.基于界面光波传输的相位匹配,根据界面的折射率的分......
以硅片为基底,运用金辅助化学湿法刻蚀和气相沉积技术制备低表面能的多孔硅,并在此基础上滴加适量的性能优异的Dupont Krytox GP......
电化学刻蚀使用腐蚀性小的电解质溶液,且溶液可使用周期长,是一种环境友好的加工工艺.本文采用聚丙烯酰胺水凝胶(PAG)作为软印章,......
针对二氧化锡薄膜常用的两种生长方法——等离子增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）及溅射／蒸发生长的不同特点，分别采用了两种不同的剥离工艺方案，由此......
KOH碱性蚀液的PN结自致蚀停电化学腐蚀技术是制备硅三维微结构的基本方法之一。本文详细研究了它在90℃的PN结自致蚀停的基本特性，......
讨论等离子体刻蚀及其等离子体源在微电子工业中的作用,介绍四种高效等离子体源,并讨论这一领域亟待解决的问题。
Discuss the ro......
采用离子束刻蚀制备线列熔凝石英柱微透镜阵列，准分子激光扫描消融法淀积性能均匀且稳定性良好的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导薄膜，湿法刻蚀制备超导薄......
本文介绍了一种全干法二步刻蚀制造高发射效率的场发射阵列（ＦｉｅｌｄＥｍｉｔｔｅｒＡｒｒａｒｙ－ＦＥＡ）的方法。首先利用等离子刻蚀（ＰｌａｓｍａＥｔｃｈｉｎｇ－ＰＥ）的各向同性在由ＳｉＯ２掩模的硅衬底上刻出平顶尖锥......
对ＴＦＴ器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行了研究，给出了ＴＦＴ器件工艺中常见薄膜刻蚀速率的实验结果，并讨论了掺杂气体（如Ｈ２、Ａｒ等）对刻蚀速率的影......
采用配有 dc- N plasma N源的分子束外延 (MBE)技术在 Ga As衬底上生长制作了工作波长为 1 ,3 μm的 Ga In NAs量子阱 RCE探测器 .......
在概述微机电系统刻蚀工艺模拟研究进展的基础上,讨论了微表面反应模型法、单元自动控制法、基于刻蚀速率数据库的三维各向异性刻......
长期以来德国MEMS衬底制造商Plan Optik一直是玻璃晶圆市场的领衔企业,因此Plan Optik推出世界首个直径为300mm的玻璃晶圆产品生产......
采用微透镜作为输出耦合镜,与垂直腔面发射激光器(VCSEL)的p-DBR和n-DBR构成复合腔,可以获得大功率单横模激光输出,改善光束质量。......
